4006-635-996,010,69200960
产品简介
沈阳科仪高真空电子東及热阻薄膜沉积系统真空室结构:U形前开门真空室尺寸:500x500x600mm极限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:4个11cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，最高800C占地面积(长x宽x高):约2.7米x1.7米x2.1米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性:≤+3%特色参数:样品可自转，转速可调
高真空电子東及热阻蒸发薄膜沉积系统--DZS500
真空室结构:U形前开门
真空室尺寸:500x500x600mm
极限真空度:≤6.67E-5Pa
沉积源:4个11cc坩埚
样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，最高800C
占地面积(长x宽x高):约2.7米x1.7米x2.1米
电控描述:全自动
工艺:片内膜厚均匀性:≤+3%
特色参数:样品可自转，转速可调
产品概述：
本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。
设备特点：
本设备是一个镀膜平台，可把磁控靶拆下换电子枪成为电子束镀膜系统、或换蒸发源作为热蒸发系统、或换上离子枪作为离子束镀膜系统等。
设备用途：
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研项目
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