沈阳科仪高真空电弧熔炼及吸铸系统--DHL400 真空室结构:圆筒形上升盖 真空室尺寸:φ400X320mm 极限真空度:≤8.0E-5Pa 沉积源:无 样品尺寸，温度: 占地面积(长x宽x高):约2.1米x2.2米x2.2米 电控描述:手动 工艺:不含工艺 特色参数:共有5工位(半球窝SR35)，3熔炼合金工位(带磁搅拌)，1吸铸工位，1熔炼除气工位;

沈阳科仪高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统--PLD450 真空室结构:球形前开门 真空室尺寸:450mm 极限真空度:≤6.67E-6Pa 沉积源:2英寸靶材，4个 样品尺寸，温度:2英寸，1片，最高800℃C 占地面积(长x宽x高):约1.8米x0.97米x1.9米 电控描述:全自动

沈阳科仪高真空电子東及热阻薄膜沉积系统 真空室结构:U形前开门 真空室尺寸:500x500x600mm 极限真空度:≤6.67E-5Pa 沉积源:4个11cc坩埚 样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，最高800C 占地面积(长x宽x高):约2.7米x1.7米x2.1米 电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性:≤+3% 特色参数:样品可自转，转速可调

沈阳科仪高真空磁控溅射薄膜沉积系统--PVD500 真空室结构:方形前开门 真空室尺寸:p500x500x500mm 极限真空度:≤3.0E-5Pa 沉积源:永磁靶4套，2英寸 样品尺寸，温度:p4英寸，1片，最高800°C 占地面积(长x宽x高):约2米x1.7米x2米 电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性:≤3%

沈阳科仪高真空磁控溅射薄膜沉积系统--TRP450 真空室结构:圆筒形前开门 真空室尺寸:φ450x400mm 极限真空度:≤6.6E-6Pa 沉积源:永磁靶3套，2英寸，可以向上溅射或向下溅射。 样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，最高800C 占地面积(长x宽x高):约1米x1.8米x2米 电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性:≤3%