产品概述： 本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业使用的软件控制系统。

产品概述： 本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业专用的软件控制系统。

本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业专业的软件控制系统。 设备用途： 用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。

沈阳科仪高真空定向凝固系统--DHN400 真空室结构:圆筒形上开盖 真空室尺寸::φ440x500mm 极限真空度:≤6.67E-5Pa 沉积源:无 样品尺寸，温度:约p80mmx230mm，1800°C 占地面积(长x宽x高):约2米x2米x2米 电控描述:手动 工艺:不含工艺

沈阳科仪高真空单辊旋淬及喷铸系统--XC500 真空室结构:圆筒形前开门 真空室尺寸:φ500X300mm 极限真空度:≤6.67E-5Pa 沉积源: 样品尺寸，温度:感应熔炼10克纯铁样品，在30秒钟内化 占地面积(长x宽x高):约2.7米x1.4米x2米 电控描述:手动 特色参数: 高速辊轮线速度0-50m/s可调;坩埚手动直线进给机构;条带接收器:Ф125x1500

沈阳科仪高真空电子東蒸发薄膜沉积系统--EB700 真空室结构: U形前开门 真空室尺寸:700x700x900mm 极限真空度:≤6.6E-5Pa 沉积源:6个40cc坩埚 样品尺寸，温度:4英寸，26片，最高300℃C 占地面积(长x宽x高):约3.2米x3.9米x2.1米 工艺:片内膜厚均匀性:≤3% 特色参数: 工件架有拱形基片架和行星形基片架:可根据用户基片尺